第一百六十二章 军工需求 (第2/3页)

的，主任，我会尽力”。

    “我们厂能够接受军方订单，那意味为我们轧钢厂加了一道保险，只要不出重大质量或安全问题，以后10~20年轧钢厂就会高枕无忧”。

    研究所的人离开后，李怀德现在才释放出他内心的激动。边在房间里走动，边挥舞着右手，左手却擦在腰上。

    他没有说出的是，只有半导体实验室在，只要李国成在，他的官途也是一片坦途。

    回到实验室的李国成陷入了深思。

    后世非易失性存储器的发展思路，是从PROM开始，到EPROM，再到现在的EEPROM。

    PROM只能写入一次。

    EPROM可通过特定强度的紫外线照射芯片使其还原。就是大家见过的，在芯片的表面开一个窗口，用于紫外线擦除。

    EEPROM是电可擦写只读存储器，是现在的主流应用，NOR FLASH和NAND FLASH归类到这个大类里。

    NOR FLASH读取速度快，单位成本高，可直接运行代码，更偏向于片内代码存储。

    NAND FLASH容量大，读取速度较慢，单位成本低，更偏向于大容量存储，但是容易出错，需要配合安全算法。

    U盘就是NAND FLASH。

    前身上大学的时候学习过PMOS、NMOS和浮栅MOS的制造原理，对PROM和EPROM没有了解。而且既然知道后世的发展方向，所以李国成选择直接研究NOR FLASH。

    主要的原因是NOR FLASH更适合放入芯片内部，以后芯片内部直接设计程序存储FLASH。

    FLASH原理比较简单，在G极和D/S沟道之间加入一个浮栅，浮栅类似一个被绝缘体包裹的电极，在浮栅上注入电荷，D/S沟道导通，代表‘0’；放电，D/S沟道关闭，代表‘1’。

    因为浮栅绝缘，所以电荷不易丢失。

    李国成之前没有选择研究FLASH，主要原因是对如何在PMOS上植入一个浮栅没有思路，但是现在绕不过去，只能硬着头皮上了。

    接下来的时间，李国成主要的工作就是研究如何植入浮栅。

    李国成构思了几个方案，脑海仿真不通过放

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