200 现状 (第2/3页)

案是来自英特尔对制造工艺极限的开拓，胡正明与梁孟淞在与英特尔交流合作FinFET之后基本确认了可行性。

    他想了想，又补充道：“考虑到英特尔对工艺节点的划分和实际的晶体管密度，我认为10nm不是DUV+SAQP方案的极限，7nm的可行性也很高。”

    就像现在英特尔的14nm与冰芯的16nm，两者归在同一阶段，但前者的晶体管密度是每平方毫米大约3750万，后者的则是3000万，两种工艺存在25%的差距。

    同一阶段的节点，英特尔确实更强，由此，英特尔的DUV+SAQP方案在10nm上的拓展或可展望其它厂商的7nm，但这就需要冰芯进一步的研究与优化了。

    方卓关切的问道：“英特尔自己做10nm和7nm也都用这个方案吗？”

    “看他们的意思……”梁孟淞没想到方总会问这样的问题，他停顿思考，答道，“之所以叫它过渡方案就是因为EUV的成熟需要解决，英特尔的10nm大概会用这个，7nm怎么也应该引入EUV了。”

    方卓“啧”了一声。

    胡正明忍不住笑道：“还是EUV好是吧，方总，有的用就不错了。”

    “确实，有的用就不错了。”方卓说道，“单就制程工艺这一块，我们的情况没那么差。”

    胡正明呶呶嘴：“是的，这是我们的梁院士辛辛苦苦换来的。”

    因为冰芯跨代抢滩了FinFET的16nm，所以，即便遭遇严厉限制，如今在工艺这一块也能相对从容。

    业界如今对于先进工艺的定义已经在以28nm作为分界点，在它之前属于成熟工艺，之后的自然就是先进工艺。

    更不用说冰芯的16nm，这是先进中的先进。

    也正因为这种先进性，冰芯是不缺订单的，哪怕完全供向国内，也能把产能填满，只是，上限被削弱了。

    冰芯过去这些年的快速发展得益于全球市场与供应链的广泛合作，这是一套已经得到验证的行之有效的体系。

    但在今后，这套体系放在国内就需要再经验证，因为，大家都不会停下脚步，冰芯仍需往前。

    “BIS限制美力坚企业对我们的出口，这一块也还行，去美化是我们一直在做的，欧洲和日本厂商能保证竞争力，问题就在于，BIS后续追加的措施会怎么扩大范围，一旦全面的限制，那就是一个很严肃很严肃的挑战，我们需要

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